Электронные компоненты Infineon

Сертификат, удостоверяющий, что Группа компаний Симметрон уполномочена представлять в СНГ весь спектр продукции Infineon.

Каталог продукции компании Infineon, доступной для заказа через группу компаний Симметрон, 2014 г. (pdf, 7 Mb)

• Силовые IGBT-модули
• Интеллектуальные IGBT-модули
• Тиристорные и диодные модули
• Силовые тиристоры и диоды (в дисковых корпусах)
• Дискретные силовые приборы (транзисторы и диоды)
  • Силовые транзисторы infineon
    • N канальные (20—200 В)
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 20 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 25 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 30 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 30 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 40 В
      • N- канальные полевые транзисторы SIPMOS® 60 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS® 60 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 60 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 80 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 85 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 100 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 100 В
      • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 150 В
      • N - канальные полевые транзисторы SIPMOS® 200 В
    • N канальные (500 – 900 В)
      • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 500 В
      • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 600 В
      • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 650 В
      • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 800 В
      • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 900 В
    • N канальные Small-Signal (20 – 800 В)
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 20 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 30 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 50 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 55 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™ 60 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 60 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 100 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 200 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 400 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 500 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 600 В
      • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 800 В
    • N канальные Depletion MOSFET
      • N - канальные Depletion полевые транзисторы SIPMOS®
    • P канальные (60 – 600 В)
      • Р - канальные полевые транзисторы OptiMOS™ -20 В
      • Р - канальные полевые транзисторы OptiMOS™ -30 В
      • Р - канальные полевые транзисторы SIPMOS® -60 В
      • Р - канальные полевые транзисторы SIPMOS® -100 В
      • Р - канальные полевые транзисторы SIPMOS® -250 В
    • Комплементарные пары (20 – 60 В)
      • Комплементарные пары полевых транзисторов SIPMOS®
    • N канальные (500 – 900 В)
  • Биполярные транзисторы Infineon
  • Диоды Infineon
    • Быстрые силовые диоды
      • Кремниевые мощные Fast Switching EmCon диоды 600 В
      • Кремниевые мощные Fast Switching EmCon диоды 1200 В
    • Диоды Шоттки
      • Диоды Шоттки Silicon Carbide thinQ!™ 2G 300 В
      • Диоды Шоттки Silicon Carbide thinQ! ™ 600 В
      • Кремниевые высокоскоростные диоды Шоттки
      • Кремниевые диоды Шоттки средней мощности
      • Кремниевые радиочастотные смесительные диоды Шоттки
      • Кремниевые радиочастотные детекторные диоды Шоттки
    • Выпрямители
      • Полумостовые выпрямители
      • Мостовые выпрямители
    • Кремниевые высокоскоростные коммутационные диоды
    • Кремниевые диоды для защиты от электростатики
    • Кремниевые высокоскоростные коммутационные диоды
    • Кремниевые диоды с низким током утечки
    • Кремниевые радиочастотные варакторы
• IGBT транзисторы infineon
  • IGBT дискретные
    • Быстродействующие IGBT – транзисторы на 600 В серии Fast – IGBT 10-40 кГц
    • Быстродействующие IGBT – транзисторы на 1200 В серии Fast – IGBT 10-40 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В серии HighSpeed 30-100 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 1200 В серии HighSpeed2 30-100 кГц
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 600 2-20 кГц
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 1200 2-20 кГц
    • TRENCHSTOP™2 IGBT – транзисторы 1200 В 2-20 кГц
  • IGBT со встроенным диодом
    • Высокоскоростные IGBT транзисторы DuoPACK с обратным EmCon диодом серии Fast IGBT 600 В 10-40 кГц
    • Высокоскоростные IGBT транзисторы DuoPACK с обратным EmCon диодом серии Fast IGBT 1200 В 10-40 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 1200 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed2 30-100 кГц
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 600 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 900 В 2-20 кГц с обратным диодом
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 1200 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом
    • TRENCHSTOP™2 IGBT – транзисторы на 1200 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 600 В 8-60 kHz
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 900 В 8-60 kHz
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 1000 В 8-60 kHz
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 1200 В 8-60 kHz
• Силовые сборки
• Микроконтроллеры Infineon
• ВЧ компоненты
  • ВЧ-транзисторы
    • Биполярные ВЧ-транзисторы
    • SIEGET биполярные ВЧ-транзисторы
    • Полевые ВЧ-транзисторы
  • Широкополосные и малошумящие ВЧ усилители

Статья "Экспертный выбор MOSFET: использование бюджета мощности"

Книга "Полупроводники. Техническая информация, технологии и характеристики"

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>