Высокоскоростные IGBT - транзисторы на 1200 В серии HighSpeed2 30-100 кГц

Наименование	Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 150°С, В	Ток коллектора при 25°С, А	Ток коллектора при 150°С, А	Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт	Тип корпуса
IGB01N120H2	2,4	3,2	1,3	28	D2PAK (TO-263)
IGB03N120H2	2,4	9,6	3,9	62,5	D2PAK (TO-263)
IGD01N120H2	2,4	3,2	1,3	28	DPAK (TO-252)
IGA03N120H2	2,4	0	8,2	29	TO-220
IGP01N120H2	2,4	3,2	1,3	28	TO-220
IGP03N120H2	2,4	9,6	3,9	62,5	TO-220
IGW03N120H2	2,4	9,6	3,9	62,5	TO-247