TRENCHSTOP™2 IGBT - транзисторы на 1200 2-20 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IGW08T120 2,2 16,0 8,0 70,0 TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>