Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц

Наименование	Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 150°С, В	Ток коллектора при 25°С, А	Ток коллектора при 100°С, А	Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт	Тип корпуса
IKA03N120H2	2,5	-	8,2	29,0	TO-220
IKP01N120H2	2,5	3,2	1,3	28,0	TO-220
IKB03N120H2	2,5	9,6	3,9	62,5	TO-220
IKP03N120H2	2,5	9,6	3,9	62,5	TO-220
IKW03N120H2	2,5	9,6	3,9	62,5	TO-247