TRENCHSTOP™ IGBT - транзисторы на 600 2-20 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IGB15N60T 1,9 30,0 15,0 130,0 D2PAK (TO-263)
IGB30N60T 1,9 60,0 30,0 187,0 D2PAK (TO-263)
IGB50N60T 1,9 100,0 50,0 333,0 D2PAK (TO-263)
IGD06N60T 1,8 12,0 6,0 88,0 DPAK (TO-252
IGP06N60T 1,8 12,0 6,0 88,0 TO-220
IGP10N60T 1,8 20,0 10,0 110,0 TO-220
IGP15N60T 1,9 30,0 15,0 130,0 TO-220
IGP50N60T 1,9 100,0 50,0 333,0 TO-220
IGW30N60T 1,9 60,0 30,0 187,0 TO-247
IGW50N60T 1,9 100,0 50,0 333,0 TO-247
IGW75N60T 1,9 150,0 75,0 428,0 TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>