TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 1200 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом

Наименование	Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  25°С, В	Ток коллектора при 25°С, А	Ток коллектора при 100°С, А	Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт	Тип корпуса
IHP10T120	1,7	16,0	10,0	138,0	TO-220
IKW08T120	1,7	16,0	8,0	70,0	TO-247
IKW15T120	1,7	30,0	15,0	110,0	TO-247
IKW25T120	1,7	50,0	25,0	190,0	TO-247
IKW40T120	1,8	75,0	40,0	270,0	TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>