Высокоскоростные IGBT - транзисторы на 600 В серии HighSpeed 30-100 кГц

Наименование	Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В	Ток коллектора при 25°С, А	Ток коллектора при 150°С, А	Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт	Тип корпуса
SGB15N60HS	3,5	27,0	15,0	138,0	D2PAK (TO-263)
SGP20N60HS	3,5	36,0	20,0	178,0	TO-220
SGP30N60HS	3,5	41,0	30,0	250,0	TO-220
SGW20N60HS	3,5	36,0	20,0	178,0	TO-247
SGW30N60HS	3,5	41,0	30	250	TO-247
SGW50N60HS	3,15	100,0	50	416	TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>