Быстродействующие IGBT - транзисторы на 600 В серии Fast - IGBT 10-40 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
SGB02N120 3,7 6,2 2,8 62,0 D2PAK (TO-263)
SGI02N120 3,7 6,2 2,8 62,0 D2PAK (TO-263)
SGB07N120 3,7 16,5 7,9 125,0 D2PAK (TO-263)
SGB15N120 3,7 30,0 15,0 198,0 D2PAK (TO-263)
SGD02N120 3,7 6,2 9,8 62 DPAK (TO-252)
SGP02N120 3,7 6,2 2,8 62 TO-220
SGP07N120 3,7 16,5 7,9 125 TO-220
SGP15N120 3,7 30,0 15,0 198 TO-220
SGW02N120 3,7 6,2 2,8 50 TO-247
SGW15N120 3,7 30,0 15 198 TO-247
SGW25N120 3,7 46,0 46 313 TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>