TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 900 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом
Наименование | Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 25°С, В | Ток коллектора при 25°С, А | Ток коллектора при 100°С, А | Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт | Тип корпуса |
---|---|---|---|---|---|
IHW30N90T | 1,5 | 60,0 | 30,0 | 428,0 | TO-247 |
Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>