TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 900 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  25°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 100°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IHW30N90T 1,5 60,0 30,0 428,0 TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>