TRENCHSTOP™2 IGBT – транзисторы на 1200 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом

Наименование	Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 25°С, В	Ток коллектора при 25°С, А	Ток коллектора при 100°С, А	Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт	Тип корпуса
IKW15N120T2	1,7	30,0	15,0	235,0	TO-247
IKW25N120T2	1,65	50,0	25,0	349,0	TO-247
IKW40N120T2	1,75	75,0	40,0	480,0	TO-247