Высокоскоростные IGBT транзисторы DuoPACK с обратным EmCon диодом серии Fast IGBT 1200 В 10-40 кГц

Наименование	Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В	Ток коллектора при 25°С, А	Ток коллектора при 150°С, А	Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт	Тип корпуса
SKB02N120	3,7	6.2 A	2,8	62,0	TO-220
SKP02N120	3,7	6.2 A	2,8	62,0	TO-220
SKW07N120	3,7	16,5	7,9	125,0	TO-247
SKW15N120	3,7	30,0	15,0	198,0	TO-247
SKW25N120	3,7	46,0	25,0	313,0	TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>