Быстродействующие IGBT - транзисторы на 600 В серии Fast - IGBT 10-40 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
SGB02N60 2,2 6,0 2,9 30,0 D2PAK (TO-263)
SGB06N60 2,3 12 6,9 68,0 D2PAK (TO-263)
SGB10N60A 2,3 20,0 10,6 92,0 D2PAK (TO-263)
SGB15N60 2,3 31,0 15 139,0 D2PAK (TO-263)
SGB20N60 2,4 40,0 20 179,0 D2PAK (TO-263)
SGP30N60 2.5 41,0 30,0 250,0 D2PAK (TO-263)
SGD02N60 2,2 6,0 2,9 30,0 DPAK (TO-252)
SGD04N60 2,3 9,4 4,9 50,0 DPAK (TO-252)
SGD06N60 2,3 12,0 6,9 68,0 DPAK (TO-252)
SGP02N60 2,2 6,0 2,9 30,0 TO-220
SGP04N60 2,3 9,4 4,9 50,0 TO-220
SGP06N60 2,3 12,0 6,9 68,0 TO-220
SGP10N60A 2,3 20,0 10,6 92,0 TO-220
SGP15N60 2,3 31,0 15,0 139,0 TO-220
SGP20N60 2,4 40,0 20 179,0 TO-220
SGP30N60 2,5 41,0 30 250,0 TO-220
SGW10N60A 2,3 20,0 10,3 92,0 TO-247
SGW15N60 2,3 31,0 15,0 139,0 TO-247
SGW20N60 2,4 40,0 20 179,0 TO-247
SGW30N60 2,5 41,0 30 250 TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>