TRENCHSTOP™ IGBT - транзисторы на 1200 2-20 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IGW15T120 2,2 30,0 15,0 110,0 TO-247
IGW25T120 2,2 50,0 25,0 190,0 TO-247
IGW40T120 2,3 75,0 40,0 270,0 TO-247
IGW60T120 2,3 100,0 60,0 375,0 TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>