TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 600 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  25°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 100°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IKB06N60T 1,5 12,0 6,0 88,0 D2PAK (TO-263)
IKB10N60T 1,5 20,0 10,0 110,0 D2PAK (TO-263)
IKB15N60T 1,5 30,0 15,0 130,0 D2PAK (TO-263)
IKB20N60T 1,5 30,0 15,0 166,0 D2PAK (TO-263)
IKP04N60T 1,5 8,0 4,0 42,0 TO-220
IKA06N60T 1,5 10,0 6,2 28,0 TO-220
IKA10N60T 1,5 11,7 7,2 30,0 TO-220
IKP06N60T 1,5 12,0 6,0 88,0 TO-220
IKA15N60T 1,5 14,7 8,9 35,7 TO-220
IKP10N60T 1,5 20,0 10,0 110,0 TO-220
IKP15N60T 1,5 30,0 15,0 130,0 TO-220
IKP20N60T 1,5 40,0 20,0 166,0 TO-220
IKW20N60T 1,5 40,0 20,0 166,0 TO-247
IKW30N60T 1,5 60,0 30,0 187,0 TO-247
IKW50N60T 1,5 80,0 50,0 333,0 TO-247
IKW75N60T 1,5 80,0 75,0 428,0 TO-247
IHW30N60T 1,5 60,0 30,0 187,0 TO-247
IHW40N60T 1,55 80,0 40,0 303,0 TO-247
IHW40T60 1,55 80,0 40,0 303,0 TO-247

Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>