Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц

Наименование	Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 150°С, В	Ток коллектора при 25°С, А	Ток коллектора при 150°С, А	Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт	Тип корпуса
SKB06N60HS	3,5	12,0	6,0	68,0	TO-220
SKB15N60HS	3,5	27,0	15,0	138,0	TO-220
SKW30N60HS	3,5	41,0	30,0	250,0	TO-247
SKW20N60HS	3,5	36,0	20,0	178,0	TO-247