|
|
|
|
|
Новости производителей
Мультиметр MC 330 / Счетчик MC 320 Iskra [2010-03-10]  Приборы предназначены для мониторинга и измерения электрических величин в однофазных и трехфазных сетях энергоснабжения.
подробнее... |
Встроеные N-канальные транзисторы, драйвер верхнего и нижнего плеча в одном корпусе [2010-03-09]  Vishay Intertechnology, Inc представляет SiC762CD — интегрированное решение, которое содержит ШИМ (PWM) оптимизированные N-канальные полевые транзисторы (верхнего и нижнего плеча) и полнофункциональный драйвер, бустрепный диод в корпусе PowerPAK® MLP 66-40.
подробнее... |
BOURNS предлагает новые типы сборок TVS диодов [2010-03-05]  Данные сборки, выполненные в компактных корпусах (размерами примерно 5,5 х 6,5 мм), служат для защиты по напряжению чувствительных элементов схемы и прекрасно подходят для применения в самых разнообразных отраслях электронной промышленности.
подробнее... |
Транзисторы Infineon серии OptiMOS на напряжения 200В и 250В. [2010-03-04]  Infineon анонсировал транзисторы серии OptiMOS на напряжения 200В и 250В.
подробнее... |
Компания Rohm продолжила линейку CMOS операционных усилителей. [2010-03-03]  Семейство операционных усилителей компании Rohm дополнились образцами с уникальными характеристиками.
подробнее... |
IGBT 600В транзисторы Infineon в корпусах D-pak, I-pak на ток до 15А [2010-03-02]  Infineon анонсировал IGBT 600В транзисторы в корпусах D-pak, I-pak на ток до 15А, рекомендованные специально для жёсткого переключения со встроенным быстрым диодом.
подробнее... |
Аналоговый контроллер Rohm для пассивных инфракрасных сенсоров. [2010-03-01]  Компания Rohm представляет интегральную схему аналогового контроллера пассивного инфракрасного сенсора.
подробнее... |
Доступные для коммерческого применения IR iP2010 и iP2011 на революционной GaN технологии. [2010-03-01]  International Rectifier, мировой лидер в области силовой электроники, анонсировал два новых прибора основанных на революционной нитрид-галиевой технологии, доступных для коммерческого применения.
подробнее... |
Серия высокоскоростных 1200В IGBT транзисторов Infineon для частот свыше 20кГц [2010-03-01]  Infineon анонсировал линейку высокоскоростных 1200В IGBT транзисторов предназначенных для работы на частотах свыше 20кГц.
подробнее... |
20V, 25V и 30V транзисторы в корпусе PQFN с низким сопротивлением открытого канала RDS(on) [2010-02-19]  International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет новую серию силовых полевых транзисторов HEXFET® Power MOSFETs с самым низким сопротивлением открытого канала RDS(on) в отрасли.
подробнее... |
|
|
|
|
|
|
|
|
