Выполненные по технологиям PT (Punch Through) и FS (Field Stop) бескорпусные Trench IGBT
[2015-08-03]
Новые Trench PT и FS IGBT оптимизированы для использования в силовых модулях совместно с новыми сверхбыстродействующими диодами FRED Pt четвёртого поколения.
Высокоэффективные 600-В MOSFET серии С7 компании Infineon Technologies
[2015-07-27]
Благодаря выдающимся динамическим характеристикам 600-В транзисторов серии С7, их применение позволит существенно увеличить рабочую частоту разрабатываемого изделия.