МОП-транзисторы семейства Trench HEXFET® для автоэлектроники
МОП-транзисторы семейства Trench HEXFET® для автоэлектроники производства компании IR от их конкурентов отличают более высокие параметры и устойчивость к неблагоприятным условиям эксплуатации. Уникальный процесс производства этих транзисторов оптимизирован для обеспечения преимуществ Trench-структур при их использовании в суровых условиях характерных для автоэлектроники без ухудшения устойчивости к лавинному пробою, которую разработчики автомобильных узлов могут ожидать от МОП-транзисторов с планарной структурой. Для использования в автомобильных системах большой мощности, технология Trench компании IR оптимизированадля получения минимального сопротивления структуры во включенном состоянии и обеспечивает его снижение на 15% на единицу площади структуры по сравнению с изделиями-конкурентами, и на 45% меньше, чем у лучших планарных структур.
Преимущества Trench МОП-транзисторов
По сравнению с лучшими конкурирующими изделиями:
Самое низкое RDS(on) на единицу площади структуры при повышенной температуре
Прекрасная устойчивость к лавинному пробою
Малый заряд затвора
Применение
Силовая электроника, включая:
Интегрированные стартер-генераторы
Синхронные выпрямители генераторов
Электрические усилители рулевого управления
Системы управления электромоторами (щеточными и бесщеточными)
1) Максимальный ток для корпусов TO-247 195A, D2Pak — 75 А, D2Pak-7 — 160 А, DPak — 42 А и SOT-223 — 30 А. 2) Планарная технология. 3) Разработан для применения в схемах с линейным управлением. 4) Проверить доступность приборов в корпусах ТО-220, ТО0262 и I-Pak можно на сайте auto.irf.com. 5) Значение RDS(on) для приборов с логическим управлением производится при VGS = 4.5 В. * Доступна бессвинцовая версия. К названию прибора добавляется суффикс Pbf.