NXP расширяет номенклатуру 65-В LDMOS мощных ВЧ транзисторов тремя новыми приборами

Транзисторы серии MRFX — большие возможности на растущем рынке «интеллектуального» промышленного оборудования

Мадрид, Испания, 26 сентября 2018 (GLOBE NEWSWIRE) – (European Microwave Week 2018) – Компания NXP Semiconductors N. V. (NASDAQ: NXPI) представила новые высокочастотные (ВЧ) силовые транзисторы, предназначенные для использования в «интеллектуальных» промышленных устройствах. Данные транзисторы производятся по революционной технологии 65 V LDMOS (65 V Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor — 65-В МОП с поперечной диффузией). Благодаря большей плотности мощности, меньшим токам и более широкой области безопасной работы по сравнению с прежними мощными ВЧ решениями, технология 65 V LDMOS позволяет создавать более интегрированные, соответствующие стандарту Industry 4.0 высоконадёжные системы, которые характеризуются превосходной управляемостью, присущей твердотельной электронике, наряду с возможностью гибко менять режимы энергопотребления.

Высокочастотные силовые транзисторы компании NXP, разработанные для использования в «интеллектуальных» промышленных устройствах, производятся с применением революционной 65-В МОП-технологии с поперечной диффузией (65 V LDMOS)

Серия MRFX 65-В приборов LDMOS предназначена для применения в оборудовании промышленного, научного и медицинского (Industrial, Scientific and Medical — ISM) назначения, например в генераторах лазерного излучения, плазменно-технологическом оборудовании, магнито-резонансных томографах, аппаратах ухода за кожей и диатермических аппаратах, а также для растущего сегмента рынка мощных ВЧ устройств, где идёт замена вакуумных ламп транзисторами в промышленном нагревательном оборудовании. Кроме того, они могут использоваться в передатчиках радио- и телевещания. «Не прошло и года, а уже более 100 наших заказчиков перешли на 65-В LDMOS-транзисторы NXP, — говорит старший директор и генеральный управляющий Пьер Пил (Pierre Piel), курирующий в NXP силовые ВЧ приборы широкого назначения. — Такой успех объясняется не только великолепными характеристиками приборов, но и беспрецедентной доступностью инструментальных средств, облегчающих их освоение и использование. Сюда относятся силовые модули компании NXP с легко воспроизводимой конструкцией, имеющиеся системы и возможность пользоваться специализированным программным обеспечением. Это означает упрощение разработки ВЧ блоков с быстрым выходом на рынок, так что наши клиенты могут сосредоточить свои усилия на ключевом функционале своих изделий».

Дебют 65-В транзисторов LDMOS состоялся в 2017 году, когда был представлен прибор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушной полостью, способный в непрерывном режиме выдавать на выходе мощность 1800 Вт. С того времени было создано много новых референсных схем, ставших для разработчиков той базой, которая позволяет быстро приступить к проектированию собственных устройств, работающих на частотах 27, 64, 81.36, 87.5…108, 128, 175, 174…230 и 230 МГц.

Направив усилия на обеспечение простоты применения, что позволяет сократить время разработки нового оборудования, и возможности повторно использовать конструктивные наработки предыдущих 50-В решений, компания NXP недавно добавила в 65-В семейство три новых прибора:

• MRFX1K80N — версия 1800-Вт транзистора MRFX1K80H в пластиковом корпусе со сниженным на 30% тепловым сопротивлением (0.06°C/Вт).
• MRFX600H — 600-Вт прибор в компактном корпусе с несогласованным импедансом 12.5 Ом специально для подключения через выходной согласующий трансформатор 4:1.
• MRFX035H — 35-Вт драйвер для вышеупомянутых приборов, формирующих выходной каскад. Его несогласованный выходной импеданс составляет 50 Ом, что позволяет добиться максимально компактной конструкции.

Производители источников питания работают над необходимыми 65-В преобразователями. Компания ABB Embedded Power разрабатывает 65-В блок питания мощностью 3.5 кВт для работы с транзисторами серии MRFX. «Наше сотрудничество с NXP сделает возможным создание нового поколения надёжных ВЧ систем, которые при больших уровнях мощности будут более эффективными, гибкими и управляемыми, и при этом их разработка потребует меньших временных затрат», — сказал старший менеджер Джим Монтгомери (Jim Montgomery).

Доступность и поддержка разработчиков

Для MRFX1K80H имеются референсные схемы для всего ряда частот — 27, 64, 81.36, 87.5…108, 128, 175, 174…230 и 230 МГц. Транзистор MRFX600H производится, имеются референсные схемы на частоты 87.5…108 МГц и 230 МГц. Транзистор MRFX035H производится, имеются референсные схемы на частоты 1.8…54 МГц, 30…512 МГц и 230 МГц. За дополнительной информацией, в том числе о ценах, обращайтесь, пожалуйста, в ближайшее торговое представительство компании NXP или её официальному дистрибьютору. Все приборы серии MRFX включены в программу компании NXP, гарантирующую их выпуск в течение 15 лет (15-year Product Longevity Program).

Для получения дополнительной информации воспользуйтесь ссылкой www.nxp.com/65V.

Электронные компоненты NXP »»

Другие Новости производителей: