Эталон эффективности и надёжности — семейство 1200-В IGBT 8-го поколения для промышленных приложений
1200-В IGBT 8-го поколения разработаны компанией IR с использованием новейшей технологии Trench gate Field Stop.
Транзисторы выпускаются в стандартных корпусах TO-247 и обладают лучшими в своём классе рабочими характеристиками для промышленных и энергосберегающих устройств.
Особенности
Низкое значение VCE(ON)
Защита от короткого замыкания, 10 мкс
VCE(ON) увеличивается с ростом температуры
Прямоугольная область безопасной работы при выключении (Reverse Bias Safe Operation Area — RBSOA) и высокие уровни предельных токов
Не содержат свинца, соответствуют директиве RoHS
Преимущества
Приборы нового 8-го поколения (Gen8) рассчитаны на номинальные токи от 8 до 60 А при VVCE(ON) = 1.7 В (тип.), что позволяет снизить рассеиваемую мощность и повысить плотность мощности.
Разработка новой технологии и современной кремниевой IGBT-платформы — это плод десятилетий работы компании International Rectifier в области развития технологий силовой электроники. Цель — добиться, чтобы практически все электродвигатели управлялись с помощью инверторов; это позволит использовать электроэнергию более эффективно и будет способствовать улучшению экологии.