Новые быстродействующие кристаллы диодов FRED Pt® Gen 4
Преимущества
Технология 4-го поколения Gen 4 Fred Pt
Предлагаются в виде кристаллов на подложке
Низкие значения IRPM и заряда обратного восстановления
«Мягкое» восстановление при любых режимах переключений
Сверхнизкое прямое падение напряжения — до 1.4 В
Малое время обратного восстановления — до 25 нс
Пассивация полиамидом для обеспечения высокой надёжности
Высокая рабочая температура — до +175°C
Соответствуют требованиям директивы RoHS
Области применения
Высокочастотные преобразователи в силовых модулях, электродвигателях, источниках бесперебойного питания, инверторах солнечных батарей и сварочных аппаратах
Одно- и трёхфазные инверторы, мостовые и полумостовые DC/DC-преобразователи
Корректоры коэффициента мощности (PFC), повышающие преобразователи, прерыватели, выпрямители во вторичной цепи
Особенности
Предназначены для использования в качестве обратных диодов в паре с новыми транзисторами Trench IGBT компании Vishay и её основных конкурентов.
Диоды серии U минимизируют потери на проводимость в схемах, работающих в среднем частотном диапазоне.
Диоды серии H обеспечивают высокие скорости переключений при работе в высокочастотных устройствах.
Улучшенная технология активной зоны и улучшенная конструкция выводов.
Пониженное тепловое сопротивление благодаря меньшей толщине приборов.
«Мягкое» выключение (левый рисунок) сверхбыстродействующих диодов FRED Pt® Gen 4 компании Vishay позволяет минимизировать выбросы напряжения при любых режимах переключения.
Основные технические характеристики
Серия
Быстродействие
VRRM
[В]
IF
[А]
VF (тип.)
[В]
Макс. темп.
[°C]
Размер кристалла по X
[мм]
Размер кристалла по Y
[мм]
VS-4FD081H06A6x
H
600
12
1.65
175
2.06
2.06
VS-4FD081U06A6x
U
600
12
1.4
175
2.06
2.06
VS-4FD121H06A6x
H
600
20
1.7
175
3.07
2.43
VS-4FD121U06A6x
U
600
20
1.4
175
3.07
2.43
VS-4FD156H06A6x
H
600
30
1.65
175
3.96
2.29
VS-4FD156U06A6x
U
600
30
1.4
175
3.96
2.29
VS-4FD198H06A6x
H
600
50
1.65
175
5.03
3.35
VS-4FD198U06A6x
U
600
50
1.4
175
5.03
3.35
VS-4FD235H06A6x
H
600
75
1.65
175
5.99
4.14
VS-4FD235U06A6x
U
600
75
1.4
175
5.99
4.14
VS-4FD282H06A6x
H
600
100
1.65
175
4.42
7.16
VS-4FD282U06A6x
U
600
100
1.4
175
4.42
7.16
VS-4FD378H06A6x
H
600
200
1.6
175
9.6
6.04
VS-4FD378U06A6x
U
600
200
1.45
175
9.6
6.04
VS-4FD447H06A6x
H
600
250
1.6
175
6.73
11.35
VS-4FD447U06A6x
U
600
250
1.4
175
6.73
11.35
VS-4FD121H07A6x
H
650
20
1.84
175
3.07
2.43
VS-4FD121U07A6x
U
650
20
1.48
175
3.07
2.43
VS-4FD156H07A6x
H
650
30
1.79
175
3.96
2.59
VS-4FD156U07A6x
U
650
30
1.48
175
3.96
2.59
VS-4FD198H07A6x
H
650
50
1.79
175
5.03
3.35
VS-4FD198U07A6x
U
650
50
1.48
175
5.03
3.35
VS-4FD235H07A6x
H
650
75
1.79
175
5.99
4.14
VS-4FD235U07A6x
U
650
75
1.48
175
5.99
4.14
VS-4FD282H07A6x
H
650
100
1.79
175
4.42
7.16
VS-4FD282U07A6x
U
650
100
1.48
175
4.42
7.16
VS-4FD378H07A6x
H
650
200
1.74
175
9.6
6.04
VS-4FD378U07A6x
U
650
200
1.53
175
9.6
6.04
Перспективы
Новые диоды FRED Pt Gen 4 с чрезвычайно быстрым восстановлением — идеальное дополнение к недавно появившимся транзисторам Trench IGBT компании Vishay Semiconductors. При совместном использовании эти приборы обеспечивают низкий уровень генерируемых электромагнитных помех и высокую надёжность одно- и трёхфазных инверторов, мостовых и полумостовых DC/DC-преобразователей.