Новые 300-В MOSFET с быстродействующим диодом семейства OptiMOS от компании Infineon Technologies
Новые 300-В транзисторы с быстродействующим диодом оптимизированы для приложений с жёсткой коммутацией, таких как бесперебойные источники питания (ИБП), телекоммуникационные системы, промышленные импульсные источники питания, DC/AC-инверторы и блоки управления двигателями.
Новые транзисторы не только обладают отличным сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и показателем качества (FOM), но и обеспечивают высокую надёжность системы благодаря низкому заряду обратного восстановления (Qrr).
Использование 300-В MOSFET в корпусе D2PAK с сопротивлением канала 40.7 мОм значительно снижает потери на проводимость и повышает общую эффективность систем в приложениях с большими токами, таких как блоки управления двигателями. Кроме того, обладая отличными динамическими характеристиками, новые транзисторы позволяют обеспечить высокую рабочую частоту в импульсных источниках питания, например в 60-В синхронных выпрямителях в телекоммуникационных системах.