В серийное производство вышел новый быстрый IGBT-транзистор серии H3 на напряжение 600 В в корпусе ТО-247 с номинальным током 75 A.
Новый транзистор, использующий технологию High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology, предназначен для применения в сварочных аппаратах и мощных высокочастотных источниках питания. Существует два варианта транзистора – с обратным диодом IKW75N60H3 и без него IGW75N60H3.
Характеристики:
очень низкое напряжение насыщения
низкий уровень электромагнитных помех
максимально допустимая температура кристалла 175°С
очень низкие динамические потери мощности
По поводу заказа образцов просим обращаться в инженерный центр компании «Симметрон Украина».