IGBT-транзистор с лужёной передней панелью для автомобильного применения
International Rectifier, мировой лидер в технологии силового управления, представляет кристалл AUIRG7CH80K6B-M – биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT).
Прибор планируется выпускать в корпусе с лужёной передней панелью (SFM). Транзистор предназначен для высокоточных высоковольтных инверторов автомобильных модулей, используемых в электрических транспортных средствах (EV) и гибридных автомобилях (HEV) с максимальной рабочей температурой до 175°С.
AUIRG7CH80K6B-M – транзистор последнего поколения, использующий технологию trench, позволяющую существенно снизить проводимость и потери на коммутацию. Кроме того, лужёная передняя панель нового устройства обеспечивает двухстороннее охлаждение для улучшения тепловых характеристик, а также исключает применение ненадёжных проволочных соединений.
Устройство классифицировано под автомобильные стандарты.