Новое семейство 25 В и 30 В HEXFET® MOSFET в корпусе PQFN 3×3 мм
International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет
семейство 25 В и 30 В устройств, выполненных по кремниевой технологии HEXFET®
MOSFET в корпусе PQFN 3×3, что обеспечивает сокращение площади печатного
узла.
Использование корпуса PQFN 3×3 является надежным и эффективным решением для
DC-DC преобразователей в сфере телекоммуникаций, Netcom, компьютеров, ноутбуков.
Производительность транзисторов в корпусе PQFN 3×3 мм выше на 60 процентов, значительно уменьшается сопротивление открытого канала (RDS (ON)). В дополнение к низкому RDS (ON), новый корпус PQFN предлагает улучшенную теплопроводность, а также повышенную надежность и соответствует уровню чувствительности к влаге 1 (MSL1).