Сдвоенные МОП –транзисторы IR в корпусе PQFN 2x2 и PQFN 3,3 x 3,3
International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, расширяет портфель PQFN корпусов и предлагает PQFN 2 мм × 2 мм и PQFN 3,3 мм × 3,3 мм.
Новые корпуса интегрированы под два HEXFET® MOSFETs (DUAL PQFN) и выполнены по кремниевой технологии, таким образом обеспечивается экономически эффективное решение для маломощных применений, включая смартфоны, планшетные компьютеры, видеокамеры, цифровые фотоаппараты, двигатели постоянного тока, зарядные устройства, а также ноутбуки, серверы и Netcom оборудование.
Пара МОП -транзисторов в одном корпусе выполнена по схеме с общим стоком или по полумостовой топологии, обеспечивая гибкость при проектировании различных устройств. Использование последней низковольтной кремниевой технологий в новых устройствах обеспечивает ультранизкие потери.
Наименование
Тип
корпуса
Напряжение
насыщения, В
Максимальное
напряжение VGS, B
Сопротивление
открытого канала при 4.5 В, RDS(On), В