Новые 1700-В SiC MOSFET компании ROHM

Оценочные платы и управляющие ИС позволяют быстро разрабатывать и создавать макеты устройств с новыми транзисторами

Компания ROHM недавно объявила о выпуске своих новых 1700-В SiC MOSFET, оптимизированных для использования в промышленном оборудовании, включая технологические установки и высоковольтные преобразователи общего назначения.

В последние годы всё большее стремление к экономии электроэнергии во всех сферах привело к увеличению спроса на более эффективные в энергетическом отношении силовые полупроводниковые приборы, особенно в промышленности для использования в производственном оборудовании и инверторах общего назначения. В большинстве вспомогательных источников, которые обеспечивают необходимыми напряжениями внутренние схемы блоков питания, управляющие ИС и различные дополнительные подсистемы, обычно используются кремниевые MOSFET с высоким напряжением пробоя (1000 В и выше). Однако недостатком указанных высоковольтных MOSFET являются большие потери на проводимость (что часто ведёт к избыточной генерации тепла) и проблемы, связанные с занимаемой при монтаже площадью на плате и количеством требуемых внешних компонентов, из-за чего сложно добиться уменьшения габаритов системы в целом. В ответ на это компанией ROHM были разработаны SiC MOSFET с низким уровнем потерь и управляющие ИС, которые позволяют использовать данные транзисторы с максимальной эффективностью и вносят свой вклад в миниатюризацию конечных изделий.

Транзистор SCT2H12NZ характеризуется высоким напряжением пробоя, что необходимо во вспомогательных источниках питания промышленного оборудования. По сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET потери на проводимость у SCT2H12NZ снижены в 8 раз, что способствует более высокой энергоэффективности. А вместе с микросхемой для построения AC/DC-преобразователей (BD7682FJ-LB), которая была разработана компанией ROHM специально для управления SiC MOSFET, можно в максимальной степени использовать характеристики транзистора и повысить эффективность почти на 6%. Это позволяет применять периферийные компоненты меньшего типоразмера, что ведёт к дальнейшей миниатюризации.

Вид оценочной платы сверху и снизу.

SCT2H12NZ

Наличие: доступны

Оценочные платы (BD7682F-LB-EVK-402)

Наличие: доступны

1. Оптимизированы для вспомогательных источников питания в промышленном оборудовании
По сравнению с используемыми во вспомогательных источниках питания промышленного оборудования 1500-В кремниевыми MOSFET, транзистор SCT2H12NZ характеризуется более высоким максимальным напряжением (1700 В) и в 8 раз меньшим сопротивлением в открытом состоянии (1.15 Ом). К тому же компактный корпус TO-3FM обеспечивает длину пути тока утечки (расстояние, измеряемое вдоль поверхности изолирующего материала), требуемую для промышленного оборудования. Компания ROHM также собирается выпускать транзисторы в корпусе для поверхностного монтажа (TO268-2L), который тоже обеспечивает адекватную длину пути тока утечки.

2. Более высокая эффективность при использовании совместно со специализированной микросхемой компании ROHM
Применение этого новейшего SiC MOSFET совместно с микросхемой для построения AC/DC-преобразователей (BD7682FJ-LB), которая была разработана компанией ROHM специально для управления SiC MOSFET, позволяет в максимальной степени использовать характеристики транзистора и повысить эффективность почти на 6%. В то же самое время будет снижено тепловыделение, благодаря чему можно будет минимизировать теплоотводящие элементы конструкции и использовать более компактные компоненты.

Сравнение эффективности AC/DC-преобразователей: Si и SiC
Управляющие ИС позволяют максимально эффективно использовать характеристики каждого AC/DC-преобразователя

3. Простота оценивания работы SiC-транзисторов при использовании плат компании ROHM
Компания ROHM выпускает разнообразные полупроводниковые приборы, в том числе широкую номенклатуру интегральных схем, оптимизированных под использование с различными SiC-транзисторами. Компания также начала выпуск оценочных плат и наборов, которые позволяют сразу же оценить работу транзисторов и начать разработку. Кроме платы BD7682FJ-LB-EVK-402 также предлагается плата управления затворами для оценки полного SiC-модуля вместе с модулем снабберов. Более подробную информацию можно найти на посвященной вопросам поддержки пользователей странице на сайте компании ROHM.

Применение

Вспомогательные источники питания для высоковольтного (400 В (AC)) промышленного оборудования, например средства автоматизации (роботы), промышленные преобразователи и инверторы для солнечных батарей, а также технологические и испытательные установки.

Номенклатура

Другие Новости производителей: