Новые 650 В IGBT транзисторы Infineon Technologies, изготовленные по технологии TRENCHSTOP™5
TRENCHSTOP ™5 – это новая технология изготовления ультратонких подложек
Толщина подложек снижена на 25% по сравнению с предыдущими технологиями, что привело к значительному снижению потерь на проводимость и переключение у IGBT транзисторов на их основе.
Новые продукты оптимизированы для ККМ и ШИМ топологий и рекомендованы для применения в таких приложениях, как фотоэлектрические преобразователи, источники бесперебойного питания, сварочные аппараты.
Транзисторы, изготовленные по новой технологии, доступны в двух вариантах:
Серия HighSpeed 5 (H5) – позволяет легко заменить предыдущие IGBT транзисторы семейства HighSpeed 3.
Серия HighSpeed 5 FAST (F5) – обеспечивает дополнительное снижение потерь и позволяет добиться эффективности системы свыше 98%.
Сравнение 40 А IGBT семейства HighSpeed 3 и TRENCHSTOP™5
Rg =15 Ом
40A HS3
40A H5 (New!)
40A F5 (New!)
UCE(sat), В
1.95
1.7
1.7
UCE(MAX), В
600
650
650
QG, нКл
223
84
90
EON, мДж
0.61
0.27
0.29
EOFF, мДж
0.29
0.16
0.13
IGBT по технологии TRENCHSTOP™5 – первая волна
Ток коллектора при T C = 100°C
TO-220
TO-220 FullPAK
TO-247
Single IGBT
40
IGP40N65F5 / H5
IGW40N65F5 / H5
50
IGW50N65F5 / H5
DuoPack
8
IKP08N65F5 / H5
IKA08N65F5 / H5
15
IKP15N65F5 / H5
IKA15N65F5 / H5
40
IKP40N65F5 / H5
IKW40N65F5 / H5
50
IKW50N65F5 / H5
Параметры
UCE = 650 В
На 200 мВ снижено напряжение насыщения U CE(sat) в сравнении с HighSpeed 3