Сверхминиатюрные силовые транзисторы PQFN2x2 для маломощных приложений
Компания International Rectifier расширила линейку корпусов для HEXFET® MOSFET кремниевых транзисторов, которые теперь доступны в миниатюрном корпусе PQFN 2 x 2 мм. Транзисторы имеют высокую плотность мощности и хорошую эффективность при применении в маломощных устройствах, таких, как мобильные телефоны, таблеточные компьютеры, видеокамеры, цифровые статические камеры, ноутбуки, сервера и сетевое оборудование.
С площадью монтажа всего 4 кв.мм, транзисторы в корпусах PQFN2x2 доступны на напряжения 20, 25 и 30 В в модификациях со стандартным и логическим управлением затвором. Приборы разработаны на основе инновационной низковольтной N/P-канальной кремниевой технологии, позволяющей сократить сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) и повысить плотность мощности. Данные параметры не уступают транзисторам в корпусах PQFN3.3x3.3 или PQFN5x6 мм.
В семейство приборов PQFN2x2 входят Р-канальные транзисторы, оптимизированные для использования в качестве верхнего ключа. При высоте корпуса менее 1 мм приборы совместимы со всеми существующими технология поверхностного монтажа, имеют стандартное посадочное место и соответствуют директиве RoHS.