RU UA
Новости компании Новости производителей О компании Поставщики Вакансии Контакты
Электронные компоненты
Оборудование
Новые предложения и акции
 
Новости производителей

SiC-MOSFET серии SCT 2, SCH 2, SCT 3

 
Низкие потери при переключениях и малые сопротивления в открытом состоянии способствуют энергосбережению

2-е поколение SiC - MOSFET
  • Высокая скорость переключений
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (мало зависящее от температуры)
  • Встроенный диод с малыми значениями Qrr и trr
  • Значительно (до 73%) меньшие потери (в сравнении с Si- IGBT при работе на частоте 30 кГц)
  • Исключена деградация из-за паразитной проводимости диода
  • Возможность работы при высоких температурах: Tj (макс) = +175°C

Структурная схема



Надписи на рисунке:
Metal – Металл
Poly-Si – Поликристаллический кремний
SiC n-Drift Layer – Дрейфовый n–-слой SiC
SiC Planar MOS – Планарный SiC MOS-транзистор

Потери при переключениях значительно снижены



Надписи на рисунке:
Comparison of loss – Сравнение потерь
When operating at 30 kHz – При работе на 30 кГц
Loss (W) – Потери (Вт)
Turn-ON switching loss – Потери при включении
Turn-OFF switching loss – Потери при выключении
Conduction loss – Потери на проводимость
Compared to IGBTs loss reduced by 73% – По сравнению с IGBT потери снижены на 73%

Номенклатура

Наименование
BVDSS
RDS(on)
ID(макс.)
Модели, сертифицированные для
использования на транспорте (AEC-Q101*2)
Корпус
[В]
[мОм]
[А]
* SCT2750NY
1700
750
6
–
TL-268-2L
* SCT2H12NY
1700
1150
4
–
SCT2H12NZ
1700
1150
3.7
–
TO-3PFM
SCT2080KEC
1200
80
40
–
TO-247
* SCT2080KEAHR
1200
80
40
Есть
SCH2080KEC*1
1200
80
40
–
SCT2160KEC
1200
160
22
–
* SCT2160KEAHR
1200
160
22
Есть
SCT2280KEC
1200
280
14
–
* SCT2280KEAHR
1200
280
14
Есть
SCT2450KEC
1200
450
10
–
* SCT2450KEAHR
1200
450
10
Есть
SCT2120AFC
650
120
29
–
TO220AB

*1 SiC - SBD в одном корпусе.
*2 AEQ-101 rev.D .

* 3-е поколение SiC Trench MOSFET

Особенности
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет повысить плотность мощности преобразователей
  • Высокая скорость переключений
  • Быстрое обратное восстановление паразитного диода
  • Исключена деградация из-за паразитной проводимости диода
  • Малый заряд затвора Qg и низкая паразитная ёмкость
  • Возможность работы при высоких температурах: Tj (макс) = +175°C

Структурная схема



Надписи на рисунке
Metal – Металл
Poly-Si – Поликристаллический кремний
Gate trench – Канавка затвора
Source trench – Канавка истока
SiC n-Drift Layer – Дрейфовый n–-слой SiC
SiC sub – Подложка SiC
SiC-Trench MOS – SiC-Trench MOS-транзистор

Достигается дальнейшее снижение потерь в открытом состоянии



Надписи на рисунке:
Trade-off curve between RDS(on) and Ciss – Зависимость между RDS( on)и Ciss для выбора компромиссных значений
At same chip area Ciss 35%, Ron 50% - При той же площади кристаллаCiss ниже на 35%,Ron —на 50%
At same Ron Ciss 70% - При том же Ron, Ciss ниже на 70%
Ciss (pF) – Ciss (пФ)
RDS(on) @ 25 ° C (mΩ) –RDS( on)при 25° C (мОм)

Номенклатура

Наименование
BVDSS
RDS(on)
ID(макс.)
Корпус
[В]
[мОм]
[А]
* SCT3022KL
1200
22
95
  
TO-247N
* SCT3030KL
1200
30
72
* SCT3040KL
1200
40
55
* SCT303AL
650
30
70

* — В разработке.




Другие Новости производителей:


[2019-10-31] Новые серии TVS-диодов Bourns SMA6J и SMA6J-Q

[2019-10-24] PFH — новая серия компактных модульных AC/DC-преобразователей с цифровым управлением

[2019-10-24] Компания Murata представила первый в мире синфазный дроссель 3-го класса для интерфейса CAN FD

[2019-09-02] Соединительная система DuraClik™

[2019-08-09] Технология GaN – революционный шаг в будущее

[2019-08-05] 1- и 2-амперные сверхбыстродействующие диоды Vishay FRED Pt® в корпусе SMP позволяют увеличить плотность мощности и повысить эффективность

[2019-07-25] Новинка компании Beisit — клапан выравнивания давлений M12-VP

[2019-07-22] Компания Bourns предлагает новые серии силовых катушек индуктивности SRP5050FA и SRP7030CA, соответствующих требованиям стандарта AEC-Q200

[2019-07-22] Компания Bourns предлагает новую серию серостойких чип-резисторов CRxxA-AS с сертификатом соответствия автомобильному стандарту AEC-Q200

[2019-07-18] Герметичные модули миниатюрных распределителей электропитания (Micro Power Distribution Box — мPDB)

[2019-07-04] ix Industrial™ — соответствующий стандарту IEC компактный и надёжный разъём компании Hirose, устанавливаемый в системы сервоприводов Siemens AG.

[2019-06-18] Плавающий разъём «плата—плата» FX26 со структурой, гасящей вибрации

[2019-06-13] Infineon становится ведущим поставщиком чипов для автомобильной электроники

[2019-06-06] Новый тип комбинированных компонентов защиты цепей GMOV™

[2019-06-06] Два компонента TBU в одном корпусе — компания Bourns приступила к выпуску TBU-DF


 
 
 
 
 
 
 
Рейтинг@Mail.ru
© Симметрон-Украина, 2006-2024
 
Адрес: Украина, Киев, ул. М. Расковой, 13, 9-й этаж
Телефон: +38 0 (44) 239-2065, 494-2525 (многоканальные)
Факс: +38 0 (44) 239-2069, E-mail: kiev@symmetron.ua