Высокоэффективные 650 В транзисторы серии CoolMOS™ C7 компании Infineon Technologies
Новая серия транзисторов Infineon CoolMOS™ C7 является прорывом в технологии, которая позволила обеспечить самый низкий в мире уровень RDS(on) /корпус.
Благодаря этому новые компоненты обладают низкими потерями при переключении и улучшенной эффективностью во всем диапазоне нагрузки.
Серия С7 оптимизирована для топологий с жестким переключением, таких как корректоры коэффициента мощности (CCM PFC), прямоходовые двухтранзисторные преобразователи (TTF), а также в таких приложениях, как источники бесперебойного питания, фотоэлектрические преобразователи, серверное оборудование и телеком.
В новом семействе представлены транзисторы с лучшим в мире RDS(on)в корпусе TO -247 (19 мОм) и 45 мОм в корпусах TO -220 и D 2 PAK .
Технические характеристики:
Напряжение пробоя Uce =650В
Лучший в своем классе RDS(on) /корпус
Низкий уровень заряда затвора Qg
Экономия места за счет использования меньших корпусов
Самые низкие потери проводимости/корпус
Низкие потери при переключении
Выдающиеся качества CoolMOS ™
Транзисторы серии C7
RDS(on), мОм
DPAK
D2PAK
ThinPAK 8x8
TO-220
TO-220 FullPAK
TO-247
TO-247-4
225/230
IPD65R225C7
IPB65R225C7
IPL65R230C7
IPP65R225C7
190/195
IPD65R190C7*
IPB65R190C7*
IPL65R195C7*
IPP65R190C7*
IPW65R190C7*
125/130
IPB65R125C7*
IPL65R130C7
IPP65R125C7*
IPA65R125C7**
IPW65R125C7*
95/99
IPB65R095C7*
IPL65R099C7*
IPP65R095C7*
IPA65R095C7**
IPW65R095C7*
IPZ65R095C7*
65/70
IPB65R065C7*
IPL65R070C7*
IPP65R065C7*
IPA65R065C7**
IPW65R065C7*
IPZ65R065C7*
45
IPB65R045C7
IPP65R045C7
IPA65R045C7**
IPW65R045C7
IPZ65R045C7
19
IPW65R019C7
IPZ65R019C7
*Образцы доступны с 3-го квартала 2013/ Серийное производство — 4 квартал 2013
** Образцы доступны с 4-го квартала 2013/ Серийное производство — 1 квартал 2014