|
|
|
Новости производителей
Технологии Trench PT и FS IGBT — высокая эффективность за счёт снижения потерь на проводимость и переключение.
600-В и 650-В IGBT с низким VCE(ON)и «мягкими» и быстрыми переключениями для электродвигателей, источников бесперебойного питания, а также инверторов для солнечных панелей и сварочных аппаратов.
Компания Vishay Intertechnology представила свою новую платформу Trench IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) на базе технологий Punch Through (PT) и Field Stop (FS). Разработанные с целью увеличения эффективности электродвигателей, источников бесперебойного питания (ИБП), преобразователей для солнечных панелей и сварочных аппаратов, приборы компании Vishay Semiconductors, поставляемые в виде кристаллов, обладают низкими напряжениями коллектор—эмиттер, включаются и выключаются «мягко» и с высокой скоростью, обеспечивая низкий уровень потерь на проводимость и переключение. В то же время для повышения надёжности напряжение пробоя у некоторых из этих транзисторов увеличено до 650 В.
На сегодняшний день выпускаются IGBT-чипы Trench PT и Trench FS, которые поставляются как в виде отдельных кристаллов, так и в виде неразрезанных пластин. Производятся кристаллы разных размеров, рассчитанные на токи от 30 до 240 А и напряжения пробоя от 600 до 650 В.
Потери на проводимость в транзисторах Trench PT чрезвычайно малы. Эти приборы отличаются низким напряжением коллектор—эмиттер с отрицательным температурным коэффициентом: 1.07 В при токе, составляющем 50% от максимально допустимого, и 1.34 В при максимальном токе и температуре +125°C. Благодаря своей конструкции, Trench IGBT меньше по размерам, чем планарные приборы, обладают более низким тепловым сопротивлением и работают при более высоких плотностях тока без ухудшения характеристик и снижения надёжности. Trench PT IGBT оптимизированы для работы на частотах до 1 кГц.
Низкие потери на проводимость приборов Trench FS обусловлены тем, что при максимальном токе и температуре 25°C напряжение насыщения коллектор—эмиттер составляет всего 1.45 В. При этом, поскольку данные транзисторы переключаются быстро и «мягко», обеспечивается низкий уровень потерь при их включении и выключении и снижается энергопотребление. К тому же «мягкое» выключение снижает бросок напряжения на приборе, позволяет использовать более простые топологические решения и работать в более широком диапазоне мощностей. Способность FS IGBT работать при температурах до +175°C и выдерживать при высокой температуре (+150°C) короткое замыкание в течение 6 мкс обеспечивает их высокую отказоустойчивость и надёжность при избыточной нагрузке и в аварийных условиях. Данные приборы допускают параллельное включение, так как благодаря положительному температурному коэффициенту их напряжение насыщения увеличивается с ростом температуры.
Технические характеристики
Наименование |
VCE [В] |
IC [A] |
VCE(ON)/
VCEsat [В] |
Технология |
Размер кристалла
[мм] |
Тип
кристалла |
VS-GC200A060LC |
600 |
200 |
1.34 |
Trench PT |
12.6 × 10.3 |
разрезан |
VS-GC200A060LB |
600 |
200 |
1.34 |
Trench PT |
12.6 × 10.3 |
не разрезан |
VS-GC030C060TC |
600 |
30 |
1.45 |
Trench FS |
3.5 × 4.3 |
разрезан |
VS-GC030C060TB |
600 |
30 |
1.45 |
Trench FS |
3.5 × 4.3 |
не разрезан |
VS-GC030C065TC |
650 |
30 |
1.50 |
Trench FS |
3.5 × 4.3 |
разрезан |
VS-GC030C065TB |
650 |
30 |
1.50 |
Trench FS |
3.5 × 4.3 |
не разрезан |
VS-GC200C060TC |
600 |
200 |
1.45 |
Trench FS |
10.3 × 9.8 |
разрезан |
VS-GC200C060TB |
600 |
200 |
1.45 |
Trench FS |
10.3 × 9.8 |
не разрезан |
VS-GC200C065TC |
650 |
200 |
1.50 |
Trench FS |
10.3 × 9.8 |
разрезан |
VS-GC200C065TB |
650 |
200 |
1.50 |
Trench FS |
10.3 × 9.8 |
не разрезан |
VS-GC240C060TC |
600 |
240 |
1.45 |
Trench FS |
12.6 × 10.3 |
разрезан |
VS-GC240C060TB |
600 |
240 |
1.45 |
Trench FS |
12.6 × 10.3 |
не разрезан |
VS-GC240C065TC |
650 |
240 |
1.50 |
Trench FS |
12.6 × 10.3 |
разрезан |
VS-GC240C065TB |
650 |
240 |
1.50 |
Trench FS |
12.6 × 10.3 |
не разрезан |
Транзисторы оптимизированы для применения в силовых модулях и могут использоваться вместе с новыми, обладающими «мягкой» характеристикой обратного восстановления сверхбыстродействующими диодами FRED Pt® Gen 4 компании Vishay. Максимальная рабочая температура таких модулей +175°C. Они надёжны, взаимозаменяемы, а диоды обеспечивают исключительно низкий уровень генерируемых электромагнитных помех при работе модулей в составе одно- и трёхфазных инверторов, корректоров коэффициента мощности, мостовых и полумостовых DC/DC-преобразователей.
Идеальное соответствие − Trench GBT плюс диод FRED Pt® Gen4
IGBT |
Диод
FRED Pt® Gen4 |
Быстродействие |
BVCES [В] |
IC [A] |
VF (тип.) [В] |
Размер кристалла
[мм] |
Применение |
VS-GC030C060TB |
VS-4FD156U06A6BC |
U |
600 |
30 |
1.4 |
3.96 × 2.59 |
Электродвигатели |
VS-4FD156H06A6BC |
H |
600 |
30 |
1.65 |
3.96 × 2.59 |
ИБП |
VS-GC200C060TB |
VS-4FD378U06A6BC |
U |
600 |
200 |
1.45 |
9.6 × 6.04 |
Электродвигатели |
VS-4FD378H06A6BC |
H |
600 |
200 |
1.6 |
9.6 × 6.04 |
ИБП |
Образцы IGBT и обратных диодов, приведённых выше, уже можно заказывать для оценки и тестирования.
Другие Новости производителей:
[2019-10-31]
Новые серии TVS-диодов Bourns SMA6J и SMA6J-Q
[2019-10-24]
PFH — новая серия компактных модульных AC/DC-преобразователей с цифровым управлением
[2019-10-24]
Компания Murata представила первый в мире синфазный дроссель 3-го класса для интерфейса CAN FD
[2019-09-02]
Соединительная система DuraClik™
[2019-08-09]
Технология GaN – революционный шаг в будущее
[2019-08-05]
1- и 2-амперные сверхбыстродействующие диоды Vishay FRED Pt® в корпусе SMP позволяют увеличить плотность мощности и повысить эффективность
[2019-07-25]
Новинка компании Beisit — клапан выравнивания давлений M12-VP
[2019-07-22]
Компания Bourns предлагает новые серии силовых катушек индуктивности SRP5050FA и SRP7030CA, соответствующих требованиям стандарта AEC-Q200
[2019-07-22]
Компания Bourns предлагает новую серию серостойких чип-резисторов CRxxA-AS с сертификатом соответствия автомобильному стандарту AEC-Q200
[2019-07-18]
Герметичные модули миниатюрных распределителей электропитания (Micro Power Distribution Box — мPDB)
[2019-07-04]
ix Industrial™ — соответствующий стандарту IEC компактный и надёжный разъём компании Hirose, устанавливаемый в системы сервоприводов Siemens AG.
[2019-06-18]
Плавающий разъём «плата—плата» FX26 со структурой, гасящей вибрации
[2019-06-13]
Infineon становится ведущим поставщиком чипов для автомобильной электроники
[2019-06-06]
Новый тип комбинированных компонентов защиты цепей GMOV™
[2019-06-06]
Два компонента TBU в одном корпусе — компания Bourns приступила к выпуску TBU-DF
|
|
|
|
|
|
|
|