RU UA
Новости компании Новости производителей О компании Поставщики Вакансии Контакты
Электронные компоненты
Оборудование
Новые предложения и акции
 
Новости производителей

Технологии Trench PT и FS IGBT — высокая эффективность за счёт снижения потерь на проводимость и переключение.

 
600-В и 650-В IGBT с низким VCE(ON)и «мягкими» и быстрыми переключениями для электродвигателей, источников бесперебойного питания, а также инверторов для солнечных панелей и сварочных аппаратов.

Компания Vishay Intertechnology представила свою новую платформу Trench IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) на базе технологий Punch Through (PT) и Field Stop (FS). Разработанные с целью увеличения эффективности электродвигателей, источников бесперебойного питания (ИБП), преобразователей для солнечных панелей и сварочных аппаратов, приборы компании Vishay Semiconductors, поставляемые в виде кристаллов, обладают низкими напряжениями коллектор—эмиттер, включаются и выключаются «мягко» и с высокой скоростью, обеспечивая низкий уровень потерь на проводимость и переключение. В то же время для повышения надёжности напряжение пробоя у некоторых из этих транзисторов увеличено до 650 В.

На сегодняшний день выпускаются IGBT-чипы Trench PT и Trench FS, которые поставляются как в виде отдельных кристаллов, так и в виде неразрезанных пластин. Производятся кристаллы разных размеров, рассчитанные на токи от 30 до 240 А и напряжения пробоя от 600 до 650 В.

Потери на проводимость в транзисторах Trench PT чрезвычайно малы. Эти приборы отличаются низким напряжением коллектор—эмиттер с отрицательным температурным коэффициентом: 1.07 В при токе, составляющем 50% от максимально допустимого, и 1.34 В при максимальном токе и температуре +125°C. Благодаря своей конструкции, Trench IGBT меньше по размерам, чем планарные приборы, обладают более низким тепловым сопротивлением и работают при более высоких плотностях тока без ухудшения характеристик и снижения надёжности. Trench PT IGBT оптимизированы для работы на частотах до 1 кГц.

Низкие потери на проводимость приборов Trench FS обусловлены тем, что при максимальном токе и температуре 25°C напряжение насыщения коллектор—эмиттер составляет всего 1.45 В. При этом, поскольку данные транзисторы переключаются быстро и «мягко», обеспечивается низкий уровень потерь при их включении и выключении и снижается энергопотребление. К тому же «мягкое» выключение снижает бросок напряжения на приборе, позволяет использовать более простые топологические решения и работать в более широком диапазоне мощностей. Способность FS IGBT работать при температурах до +175°C и выдерживать при высокой температуре (+150°C) короткое замыкание в течение 6 мкс обеспечивает их высокую отказоустойчивость и надёжность при избыточной нагрузке и в аварийных условиях. Данные приборы допускают параллельное включение, так как благодаря положительному температурному коэффициенту их напряжение насыщения увеличивается с ростом температуры.

Технические характеристики

Наименование
VCE [В]
IC [A]
VCE(ON)/
VCEsat [В]
Технология
Размер кристалла
[мм]
Тип
кристалла
VS-GC200A060LC
600
200
1.34
Trench PT
12.6 × 10.3
разрезан
VS-GC200A060LB
600
200
1.34
Trench PT
12.6 × 10.3
не разрезан
VS-GC030C060TC
600
30
1.45
Trench FS
3.5 × 4.3
разрезан
VS-GC030C060TB
600
30
1.45
Trench FS
3.5 × 4.3
не разрезан
VS-GC030C065TC
650
30
1.50
Trench FS
3.5 × 4.3
разрезан
VS-GC030C065TB
650
30
1.50
Trench FS
3.5 × 4.3
не разрезан
VS-GC200C060TC
600
200
1.45
Trench FS
10.3 × 9.8
разрезан
VS-GC200C060TB
600
200
1.45
Trench FS
10.3 × 9.8
не разрезан
VS-GC200C065TC
650
200
1.50
Trench FS
10.3 × 9.8
разрезан
VS-GC200C065TB
650
200
1.50
Trench FS
10.3 × 9.8
не разрезан
VS-GC240C060TC
600
240
1.45
Trench FS
12.6 × 10.3
разрезан
VS-GC240C060TB
600
240
1.45
Trench FS
12.6 × 10.3
не разрезан
VS-GC240C065TC
650
240
1.50
Trench FS
12.6 × 10.3
разрезан
VS-GC240C065TB
650
240
1.50
Trench FS
12.6 × 10.3
не разрезан

Транзисторы оптимизированы для применения в силовых модулях и могут использоваться вместе с новыми, обладающими «мягкой» характеристикой обратного восстановления сверхбыстродействующими диодами FRED Pt® Gen 4 компании Vishay. Максимальная рабочая температура таких модулей +175°C. Они надёжны, взаимозаменяемы, а диоды обеспечивают исключительно низкий уровень генерируемых электромагнитных помех при работе модулей в составе одно- и трёхфазных инверторов, корректоров коэффициента мощности, мостовых и полумостовых DC/DC-преобразователей.

Идеальное соответствие − Trench GBT плюс диод FRED Pt® Gen4

IGBT
Диод
FRED Pt® Gen4
Быстро­действие
BVCES [В]
IC [A]
VF (тип.) [В]
Размер кристалла
[мм]
Применение
VS-GC030C060TB
VS-4FD156U06A6BC
U
600
30
1.4
3.96 × 2.59
Электродвигатели
VS-4FD156H06A6BC
H
600
30
1.65
3.96 × 2.59
ИБП
VS-GC200C060TB
VS-4FD378U06A6BC
U
600
200
1.45
9.6 × 6.04
Электродвигатели
VS-4FD378H06A6BC
H
600
200
1.6
9.6 × 6.04
ИБП

Образцы IGBT и обратных диодов, приведённых выше, уже можно заказывать для оценки и тестирования.




Другие Новости производителей:


[2019-10-31] Новые серии TVS-диодов Bourns SMA6J и SMA6J-Q

[2019-10-24] PFH — новая серия компактных модульных AC/DC-преобразователей с цифровым управлением

[2019-10-24] Компания Murata представила первый в мире синфазный дроссель 3-го класса для интерфейса CAN FD

[2019-09-02] Соединительная система DuraClik™

[2019-08-09] Технология GaN – революционный шаг в будущее

[2019-08-05] 1- и 2-амперные сверхбыстродействующие диоды Vishay FRED Pt® в корпусе SMP позволяют увеличить плотность мощности и повысить эффективность

[2019-07-25] Новинка компании Beisit — клапан выравнивания давлений M12-VP

[2019-07-22] Компания Bourns предлагает новые серии силовых катушек индуктивности SRP5050FA и SRP7030CA, соответствующих требованиям стандарта AEC-Q200

[2019-07-22] Компания Bourns предлагает новую серию серостойких чип-резисторов CRxxA-AS с сертификатом соответствия автомобильному стандарту AEC-Q200

[2019-07-18] Герметичные модули миниатюрных распределителей электропитания (Micro Power Distribution Box — мPDB)

[2019-07-04] ix Industrial™ — соответствующий стандарту IEC компактный и надёжный разъём компании Hirose, устанавливаемый в системы сервоприводов Siemens AG.

[2019-06-18] Плавающий разъём «плата—плата» FX26 со структурой, гасящей вибрации

[2019-06-13] Infineon становится ведущим поставщиком чипов для автомобильной электроники

[2019-06-06] Новый тип комбинированных компонентов защиты цепей GMOV™

[2019-06-06] Два компонента TBU в одном корпусе — компания Bourns приступила к выпуску TBU-DF



 
 
 
 
 
 
 
Рейтинг@Mail.ru