Силовой модуль на карбиде кремния компании Rohm Semiconductor
Силовой модуль BSM120D12P2C005 на основе карбида кремния является идеальной заменой для кремниевых IGBT модулей 200-400 А класса и превосходит их по ряду параметров:
Сокращение потерь на коммутацию на 85%
Сокращение занимаемого объема на 50% по сравнению с аналогичными IGBT модулями класса 200-400 А
Уменьшение потерь на тепловыделение и упрощение системы охлаждения
Уменьшение габаритов готового изделия
Возможность ШИМа с частотой более 100КГц
Электрическая схема модуля
Основные характеристики модуля
Напряжение сток-исток 1200 В
Напряжение затвор-исток от -6 до 22 В
Продолжительный ток истока 120 А при t=60°C
Импульсный ток 240 А при t=60°C, 1 мсек
Допустимая температура полупроводника от -40°С до 150°С