Vishay снимает с производства изолированный биполярный транзистор (IGBT) c ультранизким напряжением насыщения VCE(On), в качестве замены представляет IGBT – транзистор VS-GA250SA60S.
SOT-227
Особенности:
Оптимизирован для низкочастотных (до 5 кГц) применений;
Ультранизкий VCE(On) (1,33 В при 200 А 25 °С);
Низкие потери проводимости
Полностью изолированный корпус (Напряжение пробоя 2500 VAC);
Низкая внутренняя индуктивность 5 нГн
Преимущества:
Предназначен для повышения эффективности работы в мощных преобразователях: UPS, SMPS, в дуговой сварке вольфрамовым электродом;