Новые 1200-В SiC-диоды Шоттки 5-го поколения Infineon Technologies
Новые 1200-В SiC-диоды Шоттки позволяют значительно повысить эффективность и надёжность преобразователей для однофазных и трёхфазных устройств большой мощности.
Пятое поколение диодов обладает лучшим в своём классе прямым падением напряжения (VF), которое на 30% меньше, чем у SiC -диодов предыдущего поколения. Низкий уровень VF обеспечивает высокую эффективность, а также позволяет получить превосходный КПД даже на низких рабочих частотах.
Новое поколение диодов разработано специально для применения в солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания, устройствах управления электроприводом и трёхфазных импульсных источниках питания. Использование 1200-В диодов пятого поколения вместе с IGBT-транзисторами HighSpeed 3 и TRENCHSTOP 5 позволит не только значительно повысить эффективность системы и её надёжность, но и снизить уровень ЭМИ, а также уменьшить стоимость и размер изделия благодаря снижению требований к системе охлаждения.
Прямой ток, IF, А
TO-247
TO-220 (двухвыводной)
DPAK
2
IDH02G120C5**
IDM02G120C5**
5
IDH0 5 G120C5**
IDM0 5 G120C5**
8
IDH0 8 G120C5**
IDM 08 G120C5**
10
IDW10G120C5B*
IDH 10 G120C5**
15
IDW1 5 G120C5B*
IDH 15 G120C5**
20
IDW 2 0G120C5B*
30
IDW 3 0G120C5B*
40
IDW 4 0G120C5B*
* «B» означает два диода с общим катодом.
** Начало серийного производства в 2015 году.
Более подробная информация представлена здесь.