SiA850DJ - новый n-канальный 190 вольтовый MOSFET и 190 вольтовый диод в габаритах 2,0х2,0х0,75 мм
Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новый MOSFET и мощный диод в корпусе PowerPAK® SC-70. Предлагаемое изделие является первым промышленным прибором для рабыты с высокими напряжениями требующим не более 1,8 В на затворе.
Технические характеристики MOSFETа
VDS (V)
RDS(on) (Ω)
ID (A)a
Qg (Typ.)
190 V
3.8 at VGS = 4.5 V
0.95
1.4 nC
4.2 at VGS = 2.5 V
0.9
17 at VGS = 1.8
0.3
Технические характеристики диода
VKA (V)
Vf (V)
Diode Forward Voltage
IF (A)a
190
1.2 at 0.5 A
0,95
Области применения: DC/DC преобразователи для высоковольтных пьезоэлектрических моторов, OLEDов, панельная подсветка в сотовых телефонах, PDA устройствах, MP3 плеерах и смартфонах.