30В Р-канальный TrenchFET®Gen III Power MOSFET с RDS= 2,6 мОм при 10В
Vishay Siliconix впервые представляет промышленный 30В Р-канальный TrenchFET® Gen III Power MOSFET с максимальным сопротивлением открытого канала 2,6 мОм при 10 В и 3,75 мОм при 4,5 В в корпусе PowerPAK® SO-8.
Новый Si7145DP является самым низкоомным в линейке TrenchFET® Gen III Power MOSFET и найдет широкое применение в адаптерах, источниках питания, ноутбуках, промышленных системах. Низкое сопротивление приводит к низким потерям проводимости, что позволяет Si7145DP сэкономить энергию и продлить жизнь аккумулятора при перезарядке.