Полевые транзисторы trench HEXFET® с высоким уровнем постоянного тока стока и низким RDS(on).
International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет новые N – канальные полевые транзисторы в диапазоне напряжений от 60 В до 200 В, изготовленные по технологии trench HEXFET® Power MOSFETs.
Они характеризуются высоким постоянным током стока и предназначены для промышленных батарей, блоков питания, мощных двигателей постоянного тока, электроинструмента.
Новые транзисторы обеспечивают уровень постоянного тока стока до 195 А, обладают низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и в корпусах TO-220, D2PAK и TO-26. В корпусе 7-pin D2PAK уровень тока стока составляет 240 А, что делает транзистор одним из наиболее надежных приборов данного класса. Устройства выполнены по бессвинцовой технологии и соответствуют директиве RoHS.