Rohm Double-Cell EEPROM

Электрически перепрограммируемая память с последовательным доступом (EEPROM) является постоянной энергонезависимой памятью с возможностью перезаписи хранящейся информации.

Производимая ROHM высоконадежная память EEPROM в числе лучших в своем классе и заслуженно занимает заметную долю рынка, охватывая широкий диапазон значений по величине емкости, по диапазонам рабочих напряжений (от 1,8 В до 5,5 В, от 2,5 В до 5,5 В), по интерфейсам (Microwire, I2C, SPI), по типам корпусов. Эта память идеально подходит для устройств с независимым (батарейным) питанием. Отличительной особенностью этой памяти является разработанная ROHM уникальная технология двойной ячейки (Double-Cell), значительно повышающая надежность хранения данных.

Микросхемы выполнены по бессвинцовой технологии, обеспечивающей совместимость с директивами RoHS.

Документация производителя на микросхемы памяти br25h010 - br25h320
Документация производителя на микросхемы памяти br24s

Family I/F Capacity
(bit)
Bit format
(word×bit)
Supply
voltage
range
(V)
Operating
temperature
range
(ºC)
Write
cycle
time
(max.)
(ms)
Number of
data rewrite
times
(Times)
Data hold
years
(Years)
RoHS
BR25H010 SPI BUS 1K 128×8 2.5 to 5.5 -40 to +125 5 106 40 Yes
BR25H020 SPI BUS 2K 256×8 2.5 to 5.5 -40 to +125 5 106 40 Yes
BR25H040 SPI BUS 4K 512×8 2.5 to 5.5 -40 to +125 5 106 40 Yes
BR25H080 SPI BUS 8K 1K×8 2.5 to 5.5 -40 to +125 5 106 40 Yes
BR25H160 SPI BUS 16K 2K×8 2.5 to 5.5 -40 to +125 5 106 40 Yes
BR25H320 SPI BUS 32K 4K×8 2.5 to 5.5 -40 to +125 5 106 40 Yes
BR24S08 I2C BUS 8K 1K×8 1.7 to 5.5 -40 to +85 5 106 40 Yes
BR24S16 I2C BUS 16K 2K×8 1.7 to 5.5 -40 to +85 5 106 40 Yes
BR24S32 I2C BUS 32K 4K×8 1.7 to 5.5 -40 to +85 5 106 40 Yes
BR24S64 I2C BUS 64K 8K×8 1.7 to 5.5 -40 to +85 5 106 40 Yes
BR24S128 I2C BUS 128K 16384×8 1.7 to 5.5 -40 to +85 5 106 40 Yes
BR24S256 I2C BUS 256K 32768×8 1.7 to 5.5 -40 to +85 5 106 40 Yes

Подробнее о компании Rohm >>>