RU UA
Новости компании Новости производителей О компании Поставщики Вакансии Контакты
Электронные компоненты
Техническая документация
Публикации
Оборудование
Новые предложения и акции
 
МОП-транзисторы семейства Benchmark


Применение МОП-транзисторов семейства Benchmark для понижающих DC/DC-преобразователей

Компания IR предлагает семейство МОП-транзисторов с максимально допустимым напряжением сток-исток 30 В для применения в понижающих преобразователей напряжения с синхронным выпрямлением, используемых в локальных преобразователях. МОП-транзисторы в корпусах SO-8 разработаны для использования в узлах с высокой плотностью монтажа, когда требуются малые размеры, высокий КПД и улучшенная теплопроводность. Эти транзисторы идеально подходят для применения в ноутбуках и локальных преобразователях в серверах, а также в современных системах телекоммуникации и обмена данными.

Эти новые N-канальные приборы предлагаются в стандартных корпусах типов D-Pak, SO-8 и новом корпусе Power QFN, оптимизированном для крупносерийного производства. Силовой квадратный плоский безвыводной корпус PQFN имеет улучшенные тепловые характеристики и обеспечивает гибкость при осуществлении новых разработок при размерах, равных размерам корпуса SO-8.

Эти новые МОП-транзисторы имеют значительно улучшенные свойства оксидной изоляции затвора по сравнению с приборами предыдущих поколений и обеспечивают высокие характеристики при использовании в понижающих преобразователях с синхронным выпрямлением при входном напряжении 12 В и выходном напряжении 1…3 В. Низкое сопротивление RDS(on) и малый заряд переключения Qg делают эти новые приборы идеальными для применения в локальных преобразователях. Малые потери проводимости улучшают КПД при высоких нагрузках и уменьшают выделение тепла, в то время как низкие потери переключения помогают достичь высокого КПД при малых нагрузках. Эти новые приборы позволяют упростить и удешевить существующие конструкции.

Особенности и выгоды, получаемые при использовании МОП-транзисторов

  • Соответствие требованиям RoHS
  • Отсутствие галогенов
  • Идеально подходят для использования в понижающих преобразователях с синхронным выпрямлением для локальных преобразователей
  • Очень низкое RDS(on) при VGS = 4.5 В
  • Малые потери проводимости
  • Улучшенный КПД и тепловые характеристики при высоких нагрузках
  • Высокий КПД даже при малых нагрузках

Особенности и выгоды, получаемые при использовании корпусов типа Power QFN

  • Компактность (5×6 мм)
  • Низкое тепловое сопротивление
  • Большой вывод истока для повышения надежности пайки
  • Совместимость по цоколевке с корпусом SO-8
  • Оптимизированы для крупносерийного производства

Рынок и применение

  • Ноутбуки
  • Локальные преобразователи
  • Передовые системы телекоммуникации и передачи данных

Преимущества продукции компании IR

  • Эталонные стандарты на характеристики и производственные возможности
  • Широчайший диапазон корпусов вплоть до напряжения 250 В
  • Лидирующее в промышленности качество

Электрические параметры

Прибор
Применение
Корпус
VDSS [В]
VGS [В]
ID @ 25°C [А]
RDS(on) [мОм]
VTH [В]
QG [нКл]
VGS = 4.5 В
VGS = 10 В
Load Switch
SO-8
30
±20
11
17.5
11.9
>1.35
6.2
Control FET
SO-8
30
±20
14
13.0
8.7
>1.35
8.1
Control FET
SO-8
30
±20
14
12.5
8.5
>1.35
8.3
Control FET
D-Pak
30
±20
65
11.8
8.4
>1.35
8.5
Sync FET
SO-8
30
±20
18
6.8
4.8
>1.35
17
Sync FET
SO-8
30
±20
21
4.5
3.7
>1.35
30
Control FET
PQFN
30
±20
15
12.5
8.5
>1.35
9.3
Sync FET
PQFN
30
±20
25
3.9
3.3
>1.35
34

Два новых прибора IRFH7921PBF и IRFH7932PBF выполнены в новом корпусе Power QFN. Этот корпус обеспечивает возможность разработчику уменьшить размер конструкции при улучшении ее технических характеристик и надежности. Его размеры составляют всего 5×6 мм и он имеет большой вывод истока для получения более надежной пайки. Корпус PQFN имеет на 30% уменьшенное тепловое сопротивление и на 15% увеличенную нагрузочную способность по току по сравнению с корпусом SO-8. По своим характеристикам корпус PQFN заполняет зазор между корпусами SO-8 и DirectFET. Этот корпус оптимизирован для больших объемов производства.
Рейтинг@Mail.ru