Карбид-кремниевые полевые транзисторы (MOSFET)

Одна из отличительных особенностей карбид-кремниевых MOSFET (и MOSFET вообще) от IGBT заключается в том, что они не генерируют  хвостовой ток. Вследствие этого карбид-кремниевые MOSFET имеют меньшие потери при переключении, чем IGBT. Это позволяет достичь максимального быстродействия, уменьшить число дополнительных пассивных компонентов, сделать систему охлаждения более компактной и менее дорогостоящей.

Карбид-кремниевые полевые транзисторы (MOSFET)

Наименование Напряжение сток-исток [V] Сопротивление открытого канала (Typ.)[mΩ] Ток стока [A] Мощность рассеивания [W] Температура перехода (Max.)[° C] Рабочая температура (Min.)[° C] Рабочая температура (Max.)[° C] Корпус
SCT2120AF 650 120 29 165 175 -55 175 TO-220AB
SCTMU001F 400 120 20 132 150 -55 150 TO-220AB
SCH2080KE 1200 80 40 262 175 -55 175 TO-247
SCT2080KE 1200 80 40 262 175 -55 175 TO-247
SCT2160KE 1200 160 22 165 175 -55 175 TO-247
SCT2280KE 1200 280 14 108 175 -55 175 TO-247
SCT2450KE 1200 450 10 85 175 -55 175 TO-247

Помимо корпусированных изделий, компания ROHM Semiconductor предлагает поставки следующих карбид-кремниевых MOSFET в форме кристаллов:

Наименование Напряжение сток-исток [V] Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO] Ток стока [A] Температура перехода (Max.)[° C] Рабочая температура (Min.)[° C] Рабочая температура (Max.)[° C]
S 2206 650 120 29 175 -55 175
S2301 1200 80 40 175 -55 175
S2305 1200 450 10 175 -55 175
S2306 1200 160 22 175 -55 175
S2308 1200 280 14 175 -55 175




Электронные компоненты Rohm >>>
Подробнее о компании Rohm >>>