Карбид -кремниевые силовые модули

Коммутационные потери карбид-кремниевых силовых модулей, состоящих из MOSFET и диодов Шоттки, значительно ниже, чем у аналогичных IGBT модулей. Данные карбид-кремниевые силовые модули обеспечивают возможность ШИМ с частотой 100 КГц. Потребитель получает выгоду от уменьшения потерь на тепловыделение и упрощения системы охлаждения, а также от уменьшения габаритов готового изделия.

Наименование	Напряжение сток-исток [V]	Ток стока [A]	Мощность рассеивания [W]	Температура перехода (Max.)[° C]	Рабочая температура (Min.)[° C]	Рабочая температура (Max.)[° C]	Корпус
BSM180D12P2C101	1200	180	1130	150	-40	125	C
BSM120D12P2C005	1200	120	780	150	-40	125	C

Электронные компоненты Rohm >>>
Подробнее о компании Rohm >>>